基于IPD宽带的大功率内匹配功率管设计

• 作者: 周永康 汤善东 王喜
• 来源期刊: 无线互联科技
• 关键词: GaN 功率放大器 宽带
• 年，卷（期）: 2020,（17）
• 所属期刊栏目: 网络地带
• 页码范围: 26-28,39
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

文章研究了匹配电路的带宽影响因素,基于GaAs芯片工艺,设计了宽带匹配的IPD,实现了GaN功率HEMT为300～2000 MHz,连续波输出功率为10 W的电路设计,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω.器件尺寸小,带宽宽,充分显示了IPD在宽带电路设计中的应用.