后续处理对SrTiO3基晶界层电容器绝缘电阻的影响

• 作者: 张木森 石大为 徐玲芳 王瑞龙 肖海波 梁世恒 杨昌平
• 来源期刊: 湖北大学学报（自然科学版）
• 关键词: SrTiO3晶界层电容器 介电性能 后续热电处理 绝缘电阻
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学与电子技术
• 页码范围: 289-294
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174.75
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2375.2021.03.010

摘要

采用二步法制备SrTiO3晶界层电容器,并对其进行后续热、电和液氮处理,研究处理前后电容器电学性能的变化.实验结果表明,在50 V直流电压和200℃ 条件下对SrTiO3晶界层电容器进行后续快速退火和液氮处理后,其介电常数和介电损耗在基本保持不变的情况下,其绝缘电阻值可得到大幅提升,从最初30 GΩ 上升至200 GΩ.通过处理,最后可获得平均介电常数为30000,损耗为0.003,绝缘电阻(50 V测量)为200 GΩ 的高性能SrTiO3晶界层电容器.