Zr/Ti比对PMN-PZT压电陶瓷结构与电学性能的影响研究

• 作者: 项光磊 汪跃群 盖学周 高亮
• 来源期刊: 声学与电子工程
• 关键词: 低损耗 大功率发射型压电陶瓷 高矫顽场
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

文章制备了铌锰-锆钛酸铅压电陶瓷(0.04Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-0.96Pb(ZrxTi0.995-x)O3),研究了Zr/Ti比对该体系结构与电学性能的影响.在Zr/Ti=0.515/0.48～0.50/0.495的范围内,该体系具有四方相结构.当Zr/Ti=0.505/0.49时具有最佳的电学性能,此时d33=344 pC/N,kp=0.55,tanδ=0.26％,εr=1400,Qm=917,TC=366℃.此外,在E=3 kV/mm下,该组分具有矫顽场EC=1559 V/mm、内偏置场Ei=706 V/mm的铁电性能.结果表明,该组分有望实现大功率发射用压电陶瓷的技术应用.