二元金属氧化物忆阻器的性能优化研究进展

• 作者: 丁俊 何慧凯
• 来源期刊: 智能物联技术
• 学科: 工学
• 关键词: 忆阻器 性能优化 综述 二元金属氧化物 掺杂
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 趋势综述|Trends and Overview
• 页码范围: 1-10
• 页数: 10页
• 分类号: TN603|TM54
• 语种: 中文

摘要

进入21世纪以来,传统计算机一直面临着数据频繁在CPU与存储器之间交换带来的功耗问题和存储墙问题.新型的存算一体化计算方式有望突破传统冯·诺依曼架构,实现低功耗、高算力的计算.忆阻器是一种具有低功耗、高速度、高密度、非易失等特点的新型电路元件,被认为是未来实现存算一体化的最佳载体.但目前忆阻器还存在功耗过大、稳定性低、器件参数波动大等诸多问题.针对这些问题,本文重点总结了四种提升忆阻器件性能的方法,包括电极优化、掺杂优化、界面优化和阻变层结构优化等,并分析这些优化方法背后的原理,得出调节氧空位浓度和分布将是未来研究重点方向的结论.