铜铁矿基p-TSO材料的化学合成及其光电器件研究

• 作者: 韩美杰 齐小犇 张如林 陈平 刘永慧 陈国初
• 来源期刊: 中国材料进展
• 关键词: 三元氧化物 铜铁矿材料 p型宽禁带半导体 化学合成法 紫外光电探测器 空穴传输层 薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 综合评述|Comprehensive Review
• 页码范围: 525-534
• 页数: 10页
• 分类号: TN304.2|O472
• 语种: 中文
• DOI: 10.7502/j.issn.1674-3962.202002004

摘要

铜铁矿基三元氧化物CuMO2是p型的宽禁带半导体材料,具有紫外截止、 可见光区和近红外光区高度透明的光学特性和良好的电学性能.主要综述了CuMO2铜铁矿基材料近年来报道较多的溶胶-凝胶、 水热合成、 静电纺丝以及聚合物辅助沉积4种化学制备方法及其当前的研究现状,详细介绍了CuMO2铜铁矿基的紫外光电探测器、 钙钛矿太阳能电池以及薄膜晶体管等光电器件的制备和性能研究.这些研究表明,CuMO2三元氧化物极有望应用于低成本、 高效益、 稳定性好的光电器件和p型薄膜晶体管中,其性能研究及其器件探索拥有较大的研究潜力.然而现阶段其薄膜制备的合成温度偏高,低维铜铁矿材料的电学性能有待进一步提升.因此,铜铁矿基光电器件的研发与应用是一项挑战与机遇并存的工作.