子阵位移误差条件下的线阵被动合成孔径方法研究

• 作者: 雷志雄
• 来源期刊: 电声技术
• 关键词: 被动合成孔径 子阵位移误差 稀疏贝叶斯
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 语音技术|Voice Technology
• 页码范围: 20-31
• 页数: 12页
• 分类号: TN97
• 语种: 中文
• DOI: 10.16311/j.audioe.2021.03.005

摘要

研究子阵位移误差对被动合成孔径定位结果的影响,通过将各虚拟子阵阵间位移误差作为参数引入阵列模型,提出一种基于子阵位移失配模型的直线阵稀疏贝叶斯目标方位估计方法,可同时估计子阵间位移误差和波达方向.仿真和水池水平阵被动合成孔径实验结果表明,使用子阵位移误差情况下的稀疏贝叶斯目标方位估计方法进行多声源情况下被动合成孔径方位估计,可在一定程度上减小阵列速度失配引起的估计误差.