基于体区自适应偏置技术的5G基站射频开关研制

• 作者: 宁静 王彦博 陈丹妮 许晟睿 段小玲
• 来源期刊: 微型电脑应用
• 关键词: 射频开关 5G基站 体区自适应偏置技术 绝缘体上硅
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与设计|RESEARCH AND DESIGN
• 页码范围: 90-92
• 页数: 3页
• 分类号: TP311
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-757X.2021.05.026

摘要

为了解决传统射频开关的芯片面积大、性价比低且集成难度高的问题,研究并设计了体区自适应偏置技术方案,并基于该技术采用180 nm规格SOI(绝缘体上硅)CMOS芯片设计了一种承受功率大、插入损耗低的5G基站射频开关.在基于新技术的设计方案中,取消了开关管体区的偏置电阻.通过并联电容补偿的方式提高输入功率上限,实验结果表明,射频开关的承受功率平均值达20 W,插入损耗可降至0.43 dB,对于5G通信基站的信号增强和能耗降损具有十分重要的作用.