基于重新定义tdoff的SiC MOSFET结温估计方法

• 作者: 郑磊 杜明星
• 来源期刊: 电力电子技术
• 关键词: 金属-氧化物半导体场效应晶体管 结温 关断延迟时间
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 器件与测试及其他|DEVICE AND TESTING & OTHERS
• 页码范围: 153-156
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2021.05.040

摘要

碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结温的精准估计是其损耗计算、寿命预测与可靠性评估的重要基础.SiC MOSFET的结温估计常采用热敏感电参数法,该方法具有快速响应与高准确度等优点.首先研究了 SiC MOSFET关断阶段的电气行为特性,并重新定义了关断延迟时间的区间.其次,分析重新定义的关断延迟时间与温度的理论关系,进而证明相比于传统定义下的关断延迟时间,重新定义的关断延迟时间具有更为优良的温度特性.最后,提出以重新定义的关断延迟时间作为热敏感电参数的SiC MOSFET结温在线估计方法.实验结果表明,提出的方法具有较高的测量精度.