宽中频CMOS下变频器单片

• 作者: 杨格亮 李斌
• 来源期刊: 电子与信息学报
• 关键词: CMOS集成电路 毫米波 变频器 宽中频
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 先进芯片与系统前沿技术专题|Special Issue on Advanced Chip and System Frontier Technology
• 页码范围: 1603-1608
• 页数: 6页
• 分类号: TN773
• 语种: 中文
• DOI: 10.11999/JEIT200957

摘要

该文介绍了一种工作于毫米波频段的宽中频(IF)下变频器.该下变频器基于无源双平衡的设计架构,片上集成了射频(RF)和本振(LO)巴伦.为了优化无源下变频器的增益、带宽和隔离度性能,电路设计中引入了栅极感性化技术.测试结果表明,该下变频器的中频带宽覆盖0.5～12?GHz.在频率为30?GHz、幅度为4?dBm的LO信号驱动下,电路的变频增益为–8.5～–5.5?dB.当固定IF为0.5?GHz、LO幅度为4?dBm时,变频增益随25～45?GHz的RF信号在–7.9～–5.9?dB范围内变化,波动幅度为2?dB.LO-IF,?LO-RF,?RF-IF的隔离度测试结果分别优于42,?50,?43?dB.该下变频器芯片采用TSMC?90?nm?CMOS工艺设计,芯片面积为0.4?mm2.