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摘要:
Two-dimensional (2D) materials have recently provided a new perspective on optoelectronics because of their unique layered structure and excellent physical properties.However,their potential use as optoelectric devices has been limited by the trade-off between photoresponsivity and response time.Here,based on a vertically stacked atomically thin p-n junction,we propose a gap-mode plasmon structure that simultaneously enables enhanced responsivity and rapid photodetection.The atomically thin 2D materials act as a spacer for enhancing the gap-mode plasmons,and their short transit length in the vertical direction allows fast photocarrier transport.We demonstrate a high responsivity of up to 8.67 A/W with a high operation speed that exceeds 35 MHz under a 30 nW laser power.Spectral photocurrent,absorption,and a numerical simulation are used to verify the effectiveness of the gap-mode plasmons in the device.We believe that the design strategy proposed in this study can pave the way for a platform to overcome the trade-off between responsivity and response time.
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篇名 Atomically thin heterostructure with gap-mode plasmon for overcoming trade-off between photoresponsivity and response time
来源期刊 纳米研究(英文版) 学科
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年,卷(期) 2021,(5) 所属期刊栏目 Research Articles
研究方向 页码范围 1305-1310
页数 6页 分类号
字数 语种 英文
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纳米研究(英文版)
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1998-0124
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