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摘要:
针对1.06 μm单光子探测应用,研制了基于InGaAsP/InP单光子雪崩二极管(SPAD)的集成型快速主动淬灭近红外单光子探测器.在制冷封装中集成关键淬灭元件并优化SPAD驱动电路,使得所研制的探测器具有极短的淬灭延迟,同时实现了较低的功耗和紧凑的设计.探测器具有良好的综合性能,在-30℃、10%探测效率、100 ns死时间条件下,后脉冲概率约为10%,暗计数率约为1 kHz;最短死时间低至50 ns,最大可用探测效率达30%.所研制的探测器采用105 μm/125 μm多模光纤耦合,尺寸仅为63 mm×54 mm×44 mm,且集成了门控、参数控制和时间相关单光子计数等功能,适用于体积受限的单点和多波束激光雷达系统.
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文献信息
篇名 集成型快速主动淬灭InGaAsP近红外单光子探测器
来源期刊 中国激光 学科
关键词 量子光学 单光子探测器 单光子雪崩二极管 主动淬灭 后脉冲 近红外
年,卷(期) 2021,(12) 所属期刊栏目 量子光学|Quantum Optics
研究方向 页码范围 355-362
页数 8页 分类号 TN247
字数 语种 中文
DOI 10.3788/CJL202148.1212002
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单光子探测器
单光子雪崩二极管
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中国激光
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