新型二维SiSe的能带结构与塞贝克系数的第一性原理计算

• 作者: 杨萧玥
• 来源期刊: 电子世界
• 年，卷（期）: 2021,（10）
• 所属期刊栏目: 探索与观察
• 页码范围: 73-74
• 页数: 2页
• 语种: 中文

摘要

能够把热能直接转化成电能的热电材料近几年被广泛研究,我们采用第一性原理计算和玻耳兹曼输运理论研究了一种新型二维SiSe单层在300 K、400 K、500 K三种温度下的塞贝克系数.计算结果表明,当载流子浓度约为106 cm-2时,n型SiSe单层的塞贝克系数在500 K下可达1490 μV K-1,p型SiSe单层的塞贝克系数可达1576 μV K-1,这说明SiSe可能是一种有潜力的热电材料.