新思科技与三星合作加速推广变革性3 nm GAA技术

• 作者: 侯浩大
• 来源期刊: 计算机与网络
• 年，卷（期）: 2021,（14）
• 所属期刊栏目: 市场透析
• 页码范围: 75
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-1739.2021.14.050

摘要

新思科技近日宣布,其Fusion Design Platform已支持三星晶圆厂实现一款先进高性能多子系统片上系统(SoC)一次性成功流片,验证了下一代3 nm环绕式栅极(GAA)工艺技术在功耗、性能和面积方面的优势.此次流片成功是新思科技和三星之间广泛合作的成果,旨在加快提供高度优化的参考方法学,实现全新3D晶体管架构所固有的卓越功耗和性能.