激光法制备ZnO半导体膜正交试验探究

• 作者: 闫碧莹 张艳君
• 来源期刊: 化工设计通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 稀磁半导体 脉冲激光沉积法
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发|Research and Development
• 页码范围: 117-119,122
• 页数: 4页
• 分类号: TB383.2-18
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-6490.2022.01.039

摘要

应用脉冲激光沉积法(PLD)制备ZnO基稀磁半导体薄膜,主要研究各试验条件对薄膜结晶效果的影响,通过正交试验确定最佳试验条件为:衬底温度500℃,氧压0.1Pa,激光能量200mJ/次,为ZnO薄膜的深加工和进一步开发利用奠定基础.