Mn掺杂ZnO稀磁半导体的化学合成及磁性研究

• 作者: 于宙 李祥 程兴旺 龙雪
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: ZnO 掺杂 稀磁
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 测试与表征
• 页码范围: 70-73
• 页数: 4页
• 分类号: TN201
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2009.01.016

摘要

采用化学方法制备了名义组分为Zn0.993Mn0.007O的Mn掺杂ZnO稀磁半导体材料,并研究了退火温度(Ts＝400,600,800℃)对其结构和磁性的影响.结果表明:在退火温度低于600℃条件下,合成的样品为单一纤锌矿结构的ZnO颗粒材料;当退火温度为800℃时,合成的样品中除了纤锌矿结构ZnO外还观察到ZnMnO3第二相的存在.磁性研究表明:经过600℃退火后的样品,其室温铁磁性最强,而经过800℃退火后的样品,其铁磁性几乎消失,并表现为增强的顺磁性.结合对样品的Raman光谱和紫外-可见吸收光谱的分析,表明Mn元素进入了ZnO晶格中并替代了ZnO中的Zn离子. 样品的室温铁磁性是源于(Zn,Mn)O的本征特性,并排除了样品中第二相导致其具有室温铁磁性的可能性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程兴旺	北京理工大学材料科学与工程学院	42	278	11.0	15.0
2	李祥	北京理工大学材料科学与工程学院	7	53	4.0	7.0
3	于宙	北京理工大学材料科学与工程学院	4	49	4.0	4.0
4	龙雪	北京理工大学材料科学与工程学院	4	49	4.0	4.0