Mn和N共掺ZnO稀磁半导体薄膜的研究

• 作者: 刘圆 张凤鸣 王申 路忠林 邹文琴 郦莉 都有为 陆路
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁性半导体 受主掺杂 空穴媒介的铁磁性
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5763-5767
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.098

摘要

使用对Zn2N3:Mn薄膜热氧化的方法成功制备了高含N量的Mn和N共掺ZnO的稀磁半导体薄膜.在没有N离子共掺的情况下,ZnO:Mn薄膜的铁磁性非常微弱;如果进行N离子的共掺杂,就会发现ZnO:Mn薄膜在室温下表现出非常明显的铁磁性,饱和离子磁矩为0.23 μB-0.61 μB.这说明N的共掺激发了ZnO:Mn薄膜中的室温铁磁性,也就是受主的共掺引起的空穴有利于ZnO中二价Mn离子的铁磁性耦合,这和最近的相关理论研究符合很好.