Al-N共掺杂ZnO:Mn稀磁半导体薄膜的结构与性能

• 作者: 刘桂香 彭龙 徐光亮 赵德友
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 稀磁半导体 磁控溅射 Al-N共掺杂
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 14-17
• 分类号: TN304.2|TN304.7
• 字数: 2925字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.06.005

摘要

采用反应磁控溅射法在室温下沉积前驱体氮化物,在大气环境、500℃下氧化退火30 min后获得了Al-N共掺杂ZnO:Mn薄膜.研究了直流与射频反应磁控溅射对氧化退火薄膜结构和性能的影响.结果表明:两种工艺制备的退火薄膜均具有ZnO纤锌矿结构,且均为n型导电.射频溅射退火样品具有很好的c-轴择优取向,其表面光滑平整,表面粗糙度RMS值为1.2 nrm,且具有室温铁磁性,饱和磁化强度(Ms)和矫顽力(Hc)分别为46.8 A·m-1和4.9×103A·m-1;而直流溅射退火样品表面凹凸不平,RMS值为25.8 nm,室温下是反铁磁性的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐光亮	西南科技大学材料科学与工程学院新材料研究所	101	1024	16.0	27.0
2	刘桂香	西南科技大学材料科学与工程学院新材料研究所	19	162	7.0	12.0
3	彭龙	西南科技大学材料科学与工程学院新材料研究所	10	80	4.0	8.0
4	赵德友	西南科技大学材料科学与工程学院新材料研究所	5	6	2.0	2.0