P型稀磁半导体材料的居里温度

• 作者: 关玉琴 赵春旺 陈余
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: 稀磁半导体 居里温度 掺杂浓度 反铁磁性交换作用
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 521-524
• 分类号: O47
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0224.2010.05.020

摘要

稀磁半导体(DMS)材料日益受到科技界和工业界的关注.本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度.计算结果证明:同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高.在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度与高价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度的差别,比不考虑反铁磁性交换作用时居里温度的差别更为明显,且差别随反铁磁性交换作用相对强度的增加而增加.该研究结果可为获得具有高居里温度的DMS材料提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵春旺	内蒙古工业大学理学院	58	247	9.0	12.0
2	关玉琴	内蒙古工业大学理学院	21	50	4.0	6.0
3	陈余	内蒙古工业大学理学院	12	18	4.0	4.0