SiC半导体材料和工艺的发展状况

• 作者: 崔晓英
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 碳化硅器件 器件工艺 半导体材料
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 综述与展望
• 页码范围: 58-62
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2007.04.016

摘要

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,适用于制作高压、高功率和高温器件,并可以工作在直流到微波频率范围.阐述了SiC材料的性质,详细介绍了SiC器件工艺(掺杂、刻蚀、氧化及金属半导体接触)的最新进展,并指出了存在的问题及发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔晓英		3	24	2.0	3.0