半导体工艺新发展概述

• 作者: 恩云飞 齐领
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 半导体工艺 应变硅 栅介质 铜互连
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2008.03.007

摘要

介绍了目前半导体新工艺的发展情况.在特征尺寸不断缩小的情况下,产生新的材料和技术是必要的,但也带来了相关的可靠性问题.简介了应变硅材料、栅介质的工艺及铜互连的可靠性,并对新的研究方向做了介绍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	恩云飞		37	304	10.0	14.0
2	齐领	广东工业大学材料与能源学院	1	6	1.0	1.0