稀磁半导体材料居里温度的极值点

• 作者: 关玉琴 赵春旺 陈余
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀磁半导体 居里温度 掺杂浓度 反铁磁性交换作用
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 702-705
• 页数: 4页
• 分类号: O472.5
• 字数: 2098字
• 语种: 中文

摘要

以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数,对GaAs:TM(Ga,TM)As (TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到:n型半导体居里温度有一个极大值,而p型掺杂是单调的递增.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵春旺	内蒙古工业大学理学院物理系	58	247	9.0	12.0
2	关玉琴	内蒙古工业大学理学院物理系	21	50	4.0	6.0
3	陈余	内蒙古工业大学理学院物理系	12	18	4.0	4.0