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MOS 管 X 射线照射损伤的恢复研究
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文献信息
| 篇名 | MOS 管 X 射线照射损伤的恢复研究 | ||
| 来源期刊 | 电子产品可靠性与环境试验 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | X射线;金属氧化物半导体管;阈值电压;退火;恢复 | ||
| 年，卷（期） | 2025,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 84-89 | |
| 页数 | 6页 | 分类号 | |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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版权信息
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研究主题发展历程
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X射线;金属氧化物半导体管;阈值电压;退火;恢复
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相关学者/机构
期刊影响力
电子产品可靠性与环境试验
主办单位：
工业和信息化部电子第五研究所(中国电子产品可靠性与环境试验研究所)
出版周期：
双月刊
ISSN：
1672-5468
CN：
44-1412/TN
开本：
大16开
出版地：
广州市增城区朱村街朱村大道西78号
邮发代号：
创刊时间：
1962-01-01
语种：
中文
出版文献量（篇）
2841
总下载数（次）
0
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