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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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121. 5G时代,GaN毫米波器件所面临的挑战刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 伴随着5G时代的到来,相关的电子元件也在向着更高的频率、更高的效率上发展。GaN(氮化镓)作为新一代半导体材料,能够满足电子器件向着毫米波方向发展的需求。因此,在5G时代下,GaN毫米波器件...
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122. 射频前端发展状况刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 目前,智能手机支持30多个频段,预计5G时代全球2G/3G/4G/5G网络合计支持的频段将达到91个以上。随着5G普及商用,射频前端的需求量将呈暴发式增长……自5月15日,华为被美国商务部列...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 碳化硅(SiC)功率半导体具耐高温、耐高电压、切换速度快,可降低电力传输或转换时能量损耗等优点,已成为节能诉求的太阳能、电动车及充电基础建设、智能电网等领域关注的新兴产品。根据市调机构预估,...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 据日本富士经济(Fuji Keizai)6月发布功率半导体全球市场的报告预估,汽车,电气设备,信息和通信设备等领域对下一代功率半导体(SiC和GaN)需求的预计将增加。预计2030年(与20...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 随着混合动力汽车/电动汽车(HEV/EV)平台销量猛增,据Strategy Analytics预测,到2026年,对电力电子元件的需求将占HEV/EV动力系统半导体总成本的55%以上。在St...
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126. 碳化硅市场前景广阔罗姆有何应对之策刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 随着半导体产业的不断进步,硅作为一种传统的半导体材料已经无法满足某些市场新需求,第三代半导体材料成为很多客户新的选择。与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料具备高的热导率、高的电子饱和速率...
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127. 向复合半导体技术进军欧洲GaN发展战略刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 毫无疑问,美国是氮化镓(GaN)射频产业的中心,是Wolfspeed和Qorvo两大巨头的总部所在地。尽管在亚太地区,稳懋半导体在台湾是提供氮化镓纯代工服务,但事实上,在欧洲也有一个蓬勃发展...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 据外媒报道,存储芯片现货价格今年以来首次上涨,表明随着韩国和日本之间的贸易争端持续下去,该领域正出现'前所未见'的严峻警告迹象,即供应中断可能会成为现实。DRAM芯片行业过去始终受到供过于求...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 近期日本政府内阁会议通过了第二波禁韩令,将韩国彻底从对外贸易白名单名录移除。近日日本方面正式公布了这个命令,日本政府会对向韩国出口的多达857种重要原材料进行管制。目前韩国公司主导着全球内存...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器件的研发生产,并打入多个应用市场。第三代半导体材料碳化硅的发展在功率器件市场成为绝对的焦点。全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器件的研发生产,...
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131. 英飞凌氮化镓解决方案投入量产刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年4期页码:摘要： CoolGaN 600V增强型HEMT可提供70mΩ和190mΩ的SMD封装,确保杰出的散热性能和低寄生效应。通过提供全系列SMD封装产品,英飞凌旨在支持高频运行的应用,如企业级超大规模数据...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 作为国内第一家开始量产AMOLED手机显示屏的企业,和辉光电第6代AMOLED生产线目前良率超过70%,已经量产出货。据悉,和辉光电第6代AMOLED生产线主要生产刚性AMOLED,主攻智能...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 据合肥高新区报道,近日,合肥中恒微半导体有限公司(以下简称'中恒微半导体')首期投产仪式在高新区明珠产业园举行。该项目规划分为两期建设,一期产能建成后,可实现30万只IGBT模块的生产;二期...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 士兰微12英寸特色工艺芯片项目计划投资70亿元,目前厂房桩基施工已完成,主体施工已进场;先进化合物半导体项目计划投资50亿元,目前工艺设备正陆续安装调试。2018年10月18日,士兰微厦门1...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 据美国科技网站AppleInsider报道,台积电首席财务官(CFO)何丽梅近日称,受5G智能手机需求的推动,台积电5纳米制造工艺预计于2020年上半年实现量产,这意味着苹果公司的下一代A系...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 10月8日,工信部公布了一份答复政协《关于加快支持工业半导体芯片技术研发及产业化自主发展的提案》的函,函中工信部指出,中国集成电路产业核心技术受制于人的局面仍然没有根本改变,急需加强核心技术...
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137. 上海将牵头制定中国集成电路技术路线图刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 中国集成电路发展的“蓝图”即将面世。从近日举行的2019中国(上海)集成电路创新峰会院士圆桌会议获悉,上海将牵头制定“中国集成电路技术路线图”,担纲重任的是国家集成电路创新中心。此次公布的《...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 5G为GaN打开应用的“闸门”5G的到来将会给半导体材料带来革命性的变化,无论是硅衬底还是碳化硅衬底,氮化镓(GaN)都将获得快速发展。从2G到5G,通信频率在不断地向高频发展,因此基站及通...
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139. PI布局氮化镓市场稳站电源领域领军地位刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 近日深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations发布了其InnoSwitch^TM3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC的新成员——基于氮化镓的Inno...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 2019年9月30日讯-深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司9汽车(EV)提高行驶里程和实现更快充电时间,同时还将减轻重量、节约空间、降低成本。科锐碳化硅(SiC)金属氧化物半导体...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： Qorvo日前宣布洛克希德·马丁公司选择其氮化镓(GaN)技术功率放大器,作为美国陆军Q-53雷达系统的GaN模块。将GaN技术引入多任务的移动雷达应用中,将比目前系统中广泛使用的砷化镓(G...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： Diodes公司推出额定40V的DMTH4008LFDFWQ及额定60V的DMTH6016LFDFWQ,两者均为符合车用规范的MOSFET,采用DFN2020封装。这两款微型MOSFET仅占...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 恩智浦半导体日前宣布全方位射频功率多芯片模块(MCM)产品组合将全面上市,支持开发用于5G基站的大规模MIMO有源天线系统。恩智浦5G Airfast解决方案的集成度更高,可以减小功率放大器...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 埃赋隆半导体(Ampleon)发布了最新的12V横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管产品线,加强其地面移动电台业务。这一新的12VLDMOS平台基于埃赋隆已验证的第9代LDMOS技术...
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145. 科锐与德尔福科技开展汽车SiC器件合作刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 科锐与德尔福科技(Delphi Technologies PLC)宣布开展汽车碳化硅(SiC)器件合作。科锐是碳化硅(SiC)半导体全球领先企业,德尔福科技是汽车动力推进技术全球供应商,双方...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 美国宾夕法尼亚州萨克森堡的工程材料和光电组件制造商Ⅱ-Ⅵ公司提供了用于电力电子设备的碳化硅(SiC)衬底,该公司介绍了它所说的第一款用于射频功率的200mm直径半绝缘碳化硅衬底原型。5G无线...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 总部位于英国的Plessey公司开发用于增强现实和混合现实(AR/MR)显示应用的嵌入式微LED技术,利用其在硅上的专有氮化镓(GaN-on-Si)技术,创造了2.5μm像素间距微LED显示...
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148. 台积电5纳米或提前到明年3月量产刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 台积电7纳米产能爆满之际,5纳米布局也传捷报。在苹果、海思、超微、比特大陆和赛灵思五大客户都决定采用5纳米作为下世代主力芯片制程下,台积电5纳米需求超预期,并大幅上修产能布建,由原订每月5....
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149. 氧化镓MOSFET刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 位于柏林的费迪南德·布劳恩研究所(Ferdinand-Braun-Institut)开发了具有创纪录价值的氧化镓功率晶体管。仍在研发中的β氧化镓正在引起人们的轰动,用于功率半导体应用。它是一...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 10月2日,清华大学化学工程系魏飞教授团队题为“超纯半导体性碳纳米管的速率选择生长”(Rate selected growth of the ultrapure semiconducting...
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