氧化镓MOSFET

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 功率半导体 功率晶体管 氧化镓 击穿电压 缺陷密度 外延层 MOSFET 击穿场强
• 年，卷（期）: bdtxx_2019,（5）
• 页码范围: 16-17
• 页数: 2页
• 分类号: TN3

摘要

位于柏林的费迪南德·布劳恩研究所(Ferdinand-Braun-Institut)开发了具有创纪录价值的氧化镓功率晶体管。仍在研发中的β氧化镓正在引起人们的轰动,用于功率半导体应用。它是一种宽带隙技术,这意味着它比传统的基于硅的设备更快,并且提供更高的击穿电压。其他宽带隙技术正在出货。在当今的功率半导体市场中,氮化镓(GaN)和SiC MOSFET等两种宽带隙型器件正在不断增加。结晶β氧化镓也很有希望。它的带隙为4.8-4.9eV,击穿场强为8MV/cm。这是硅的3,000倍以上,是SiC的8倍以上,是GaN的4倍以上。费迪南德·布劳恩研究所(Ferdinand-Braun-Institut)的研究人员设计了一种β-Ga2O3-MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该研究公司从莱布尼兹晶体生长研究所获得了氧化镓衬底。衬底具有优化的外延层结构,从而导致较低的缺陷密度水平和良好的电性能。