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半导体杂志
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主办单位：
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
ISSN：
1005-3077
CN：
12-1134/TN
出版周期：
季刊
邮编：
300192
地址：
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年1期页码:摘要： 用化学腐蚀法观察到，器件工艺过程中的机械应力和效应力使碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）晶片的位错大幅度增殖，汞气氛下低温热处理（２２０℃）使（ＨｇＣｄＴｅ）体材料的位错密度增殖３～４倍，并分别对实验室...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年1期页码:摘要： 介绍一种将实验曲线拟合成经验公式的方法用此方法，计算出势垒电容与反向偏压之间关系的经验公式，结果表明公式能很好地反映实验测量数据。
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3. PTC过流保护元件的研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年1期页码:摘要： ＰＴＣ过流保护元件的研究方培生，方国宏，叶曙平（温州师范学院传感器研究室３２５０００）一、引言当电路过载时，保险丝即可烧断，不能恢复，重新接好才能使用，造成材料浪费。如果设想研制万次保险丝来...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年1期页码:摘要： 在不同的温度下，测试了不同阱宽的Ｇａ０．４Ｉｎ０．６Ａｓ／ＩｎＰ压缩应变量子阱结构的光致发光谱．结果表明，光致发光滑的峰值位置随温度的升高向长波方向明显移动．计算表明，光致发光谱的峰值位置与...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年1期页码:摘要： 本文详细介绍了采用集成电路工艺研制高精度硅双向开关（ＳＭ）电路．研制出的电路具有通态电流容量大、压降低、参数对称性好和转折电压温度系数小等优点．主要参数指标均达到和超过了国外同类电路水平．文...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年1期页码:摘要： 在微压传感器的研制中进行了计算机辅助设计．利用有限元方法建立硅膜的刚度矩阵，从而求解位移方程．得到了方形弹性膜上的应力分布，为力敏电阻设计了最佳位置，并预计了输出信号的大小和灵敏度，实现了优...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年1期页码:摘要： 一种新型半导体材料──纳米晶硅李建军，魏希文，万明芳（大连理工大学半导体研究室１１６０２３）一、引言继非晶硅、多晶硅、微晶硅之后，纳米晶硅是近几年发展起来的又一种新型半导体材料。纳米固体材料...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年1期页码:摘要： 三端电压控制型负阻器件（１）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）负阻器件从１９５２年埃伯斯（Ｊ．Ｊ．Ｅｂｅｒｓ）［１］提出和１９５６年摩尔（Ｊ．Ｌ．ＭＯＭｉ）等［２］研制出晶闸管和１９５...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年1期页码:摘要： 半导体超晶格物理与器件（１１）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）第三章超晶格异质结的结构表征２０余年来，材料物理学家们已采用ＭＢＥ和ＭＯ－ＣＶＤ等现代超薄层外延工艺生长了各种超晶...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年1期页码:摘要： 新颖的微波器件材料──ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构彭正夫，张允，龚朝阳，高翔，孙娟，吴鹏（南京电子器件研究所２１００１６）一、引言众所周知，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件的微波特性主要由沟道中的...
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11. BF^＋2注入硅的损伤和退火刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年2期页码:摘要： 本文用椭圆偏振光谱法研究了低温（７７Ｋ）、中等能量（１４７ｋｅＶ）、剂量分别为３×１０１３及４×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２的ＢＦ２＋分子离子注人Ｓｉ的损伤及退火效应．根据样品椭圆偏振参数与Ｃ－...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年2期页码:摘要： 本文研究结果表明：电子辐照硅阻尼二极管ｔｒｒ的稳定性取决于辐照电子能量和热处理条件。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年2期页码:摘要： 本文研究了修入ＺｈＯ、ＮｉＯ、ＴｉＯ２材料、烧结温度及烧结时间对ＺｎＯ－ＴｉＯ２－ＮｉＯ系ＰＴＣＲ材料的微结构及性能的影响．
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年2期页码:摘要： 本文以热处理方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ中ＥＬ２径向分分布变化规律，着重研究了不同的热处理后冷却方式对ＥＬ２分布均匀性改善程度的影响，讨论了ＬＥＣＧａＨｓ中ＥＬ２分布不均匀性的起源及热处理...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年2期页码:摘要： 本文提出了计算硅热敏电阻阻值的近似等位面分割模型，推导出硅热敏电阻室温下阻值的计算公式，并将理论计算与实验结果进行了比较，两者符合得很好．这为硅热敏电阻的设计提供了可以信赖的理论依据．
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16. 非对称MOS源耦对的应用研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年2期页码:摘要： 本文在对非对称ＭＯＳ源耦对深入研究的基础上，提出了它组成模拟平方器、模拟开方器、ＲＭＳ－ＤＣ变换器等电路的理论依据，给出了这些新型电路的结构和ＳＰＩＣＥ模拟的结果，这些电路在ＭＯＳ集成系统中...
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17. 多孔硅的发光机制综述刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年2期页码:摘要： 本文对目前所持的几种关于多孔硅发光机制的观点加以介绍，给出了一些实验事实和结果。
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18. IGBT的优化设计问题综述刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年2期页码:摘要： 本文从改进器件结构、提高器件性能的角度出发，对ＩＧＢＴ自产生以来的各种有代表性的优化设计进行了综述，其中重点介绍了抑制闭锁效应、降低正向压降和开关损耗、提高阻断电压和开关速度的一些技术，对几...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年2期页码:摘要： 本文讨论了军用半导体器件的贮存失效率模型、贮存失效率曲线、贮存数据和“延寿试验”．再次阐明超过贮存期的器件只要进行必要的“延寿试验”，试验合格的产品仍可交付使用。
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20. 三瑞电压控制型负阻器件（2）刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年2期页码:摘要： 三端电压控制型负阻器件（２）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第二章表面控制负阻晶体管（ＮＥＧＩＴ）［５］表面控制负阻晶体管（Ｓｕｒｆａｃｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｓａｔｉｖｅＩｍｐ...
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21. 半导体超晶格物理与器件（12）刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年2期页码:摘要： 半导体超晶格物理与器件（１２）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）二、超晶格异质结界面性质的光谱技术研究如前所述，超晶格材料是一种由多层超薄膜和多个异质结界面组成的叠层结构。其界面...
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22. 一种简单的防火报警装置刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年2期页码:摘要： 一种简单的防火报警装置王加仿（江苏射阳纺织机械厂２２４３００）本文介绍的防火报警装置，经过长期实践，安全可靠，灵敏度高，可广泛应用于轧花。纺织以及其它易引起火灾的场合。它能够在火源刚出现的时...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年3期页码:摘要： 本文研究了（Ｇｅ）ｎ／（Ｓｉ）ｎ应变层超晶格（ＳＬＳ）中存在Ｇｅ或Ｓｉ空位时的性质。用Ｒｃｃｕｒｓｉｏｎ［’］方法计算了空位近邻原子的局域态密度（ＬＤＯＳ）和分波态密度（ＰＤＯＳ），计算了超...
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24. SIT制造中的低温二次外延工艺刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年3期页码:摘要： ＳＩＴ之类的隐埋栅结型场效应管，在制作工艺中，为了达到把“栅”隐埋起来的目的，必须采用二次外延工艺．本文讨论了二次外延工艺的特点及采用硅烷外延实现二次外延的质量控制。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年3期页码:摘要： 本文报道了国产ＨＶＭ３５０９微波炉硅堆的设计、关键制造工艺和研制结果．
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年3期页码:摘要： 在液相外延（ＬＰＥ）工艺中，采用常规的过冷降温技术，在６４０℃下进行短时间的液相外延ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的生长实验，用扫描电镜测量不同生长时间下的外延层厚，对实验曲线进行数学拟合，得到ｄ＝０...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年3期页码:摘要： 本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件（如ＨＥＭＴ、ＨＢＴ、Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ、ＩＭＰＡＴＴ等）及相应外延材料的研究进展．
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28. 三端民压控制型负阻器件（3）刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年3期页码:摘要： 三端电压控制型负阻器件（３）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第三章双基区晶体管［８］双基区晶体管（Ｄｕａｌ－ＢａｓｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＤＵＢＡＴ。一般情况下它是以一横向ｐｕ...
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29. 台湾的IC芯片代加工厂商简况刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年3期页码:摘要： 台湾的ＩＣ芯片代加工厂商简况目前，许多ＩＣ供应商为了适应市场需求，降低成本以提高竞争力，掌握货源以求迅速占领市场，纷纷在台湾、新加波等地区和国家寻找代加工厂投片生产，使该地区代加工（Ｆｏｕｎ...
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30. 半导体超晶物理与器件（13）刊名： 半导体杂志发表期刊： 1994年3期页码:摘要： 半导体超晶格物理与器件（１３）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）三、半导体表面与异质结界面的ＳＴＭ观测扫描隧道显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭＩｃｒｏｓｔｏｐｙ－ＳＴ...
半导体杂志基本信息
| 刊名 | 半导体杂志 | 主编 | 孙膺九 |
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| 主办单位 | 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会 | 主管单位 | 天津市科委 |
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