InGaAs／InP短时间液相外延层厚度与生长时间的数学拟合

• 作者: 曹康敏 汪开源
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 液相 数学 半导体 INGAAS/INP LPE
• 年，卷（期）: bdtzz_1994,（3）
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23

摘要

在液相外延（ＬＰＥ）工艺中，采用常规的过冷降温技术，在６４０℃下进行短时间的液相外延ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的生长实验，用扫描电镜测量不同生长时间下的外延层厚，对实验曲线进行数学拟合，得到ｄ＝０．２＋０．１３２ｔ０．７５７５的短时间生长厚度与时间的表达式．结果表明，短时间ＬＰＥ生长ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ相类似，有着相同的初始快速生长阶段．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹康敏	东南大学电子工程系	2	12	1.0	2.0
2	汪开源	东南大学电子工程系	1	0	0.0	0.0