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半导体杂志
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主办单位：
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
ISSN：
1005-3077
CN：
12-1134/TN
出版周期：
季刊
邮编：
300192
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1. 微弱光探测器件的设计考虑刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 制作了具有分离外保护环结构的硅光电二极管，这种结构的中心区域为光敏感区，与中心区周边相距５０μｍ处制作了宽度为３０μｍ的外保护环区。当器件应用时，可将外保护环二极管短路，中心区作光探测。这样...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 本文对适于半导体生长的固相，液相，气相的热平衡系统的喀喇氏温度定理作了进一步更严格的证明。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 本文首先论述当前因态微波，毫米波器件的总体发展特点及各种固态微波，毫米波三端器件的可用频率发展水平，最后，对这类器件及其ＭＩＭＩＣ的国内外技术发展水平进行定量对比研究，明确其差距，透视其方向...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 分形概念已被广泛地应用于哲学，自然科学和社会科学的许多领域，本文介绍材料中若干分形凝聚模型，包括扩散限制凝聚模型、动力学集团凝聚模型和扩散与反应凝聚模型，在此基础上着重讨论半导体中的分形研究...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 半导体超晶格微结构中的多能谷效应（２）薛舫时（半导体超晶格国家重点实验室和南京电子器件研究所２１００１６）六、异质谷间转移电子效应和Ｘ电子发生器ＧａＡＳ是直接带隙材料，它的导带底位于布里渊区...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 三端电压控制型负阻器件（６）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第六章新型“∧”负阻晶体管［２１］新型“∧”负阻晶体管（ＮｅｗＬａｍｂｄａＮｅｇａｔｉｖｅ－ＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＴｒａｎｓ...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 本文就高亮度ＧａＮ系蓝色发光二极管研制中的主要问题加以概述，最后对ＧａＮ系蓝色半导体激光器的发展做了展望。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 半导体超晶格物理与器件（１６）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）三、纳米半导体结构的光学性质所谓纳米半导体结构一般是指结构尺寸为几～几＋ｎｍ的低维量子体系。目前研究最活跃的有采用...
半导体杂志基本信息
| 刊名 | 半导体杂志 | 主编 | 孙膺九 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会 | 主管单位 | 天津市科委 |
| 出版周期 | 季刊 | 语种 |
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| ISSN | 1005-3077 | CN | 12-1134/TN |
| 邮编 | 300192 | 电子邮箱 | |
| 电话 | 022-236153 | 网址 | |
| 地址 | 天津市河西区陈塘庄岩峰路 |
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