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半导体杂志
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主办单位：
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
ISSN：
1005-3077
CN：
12-1134/TN
出版周期：
季刊
邮编：
300192
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1. 增强吸杂的研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 研究了增强吸杂技术，它利用淀积在硅片背面的多晶硅的晶格无序和晶粒间界而起杂质吸除作用，同时它又能增强硅中的内吸杂。本文介绍利用ＰＬＣＶＤ淀积多晶硅制备吸杂硅片的工艺。并通过ＯＳ法，ＭＯＳ产生...
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2. MOS型反相器刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 本文提出一种ＭＯＳ型反相器电路，并分析了电路的工作原理，ＳＰＩＣＥ模拟表明，在±５Ｖ电源电压，输入±３．６Ｖ范围内，非线性误差小于±０．４８％。文中还给出了这 种反相器的应用实例。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 本文采用清华大学ＱＳＷ－３０７５快速热处理设备对Ｓｉ＾＋，Ａｓ＾＋双离子注入半绝缘ＧａＡｓ进行了快速热退火研究。结果表明，在适当条件下退火，注入杂质有高的激活效率，并且杂几乎没有因高温退火引...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 限于金属电极，本文讨论了单重态激子Ｓ１在蒽界面的离解和三重态激子Ｔ１在蒽体内光去俘获的离解，并试图建立两个统一方程，其一用以描述Ｓ１离解过程中不同状态时的动力学特性，其二用以描述Ｔ１离解后不...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 本文对是ＰｔＳｉ／Ｓｉ整流特性的接触进行了详细研究，并试制成功ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ两种用途不同的肖特基势垒二极管。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 本文讨论了人工神经网络Ａ／Ｄ转换器的基本原理，并评述了两种类型的人工神经网络Ａ／Ｄ转换器；在此基础上提出了一种智能Ａ／Ｄ转换器的实现方案。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 综述了近几年来国外在量子阱半导体激光器方面的开发现状，着重阐述了在提高器件性能方面获得低阈值电流，降低α参数和线宽的重要性。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 三端电压控制型负阻器件（７）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第八章电压控制负阻ＭＯＳ器件［２’ｊ电压控制负阻ＭＯＳ器件（Ｖｏｌｔａｇｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｇａｔｉ、Ｒｅｓｉｓｔ...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 本文介绍宽禁带半导体金刚石材料的结构、物理特性、器件结构和制备工艺，并根据材料的特性参数，给出金刚石功率器件频率与功率性能预测，与Ｓｉ，ＧａＡｓ等材料进行了比较。最后指出金刚石半导体器件实用...
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10. 金属／半导体材料中的分形结构刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 本文全面而概括地介绍金属／非晶半导体材料中分形结构的产生机制及其研究领域。
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11. 半导体超是昌格物理与器件（17）刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 半导体超晶格物理与器件（１７）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）第五章量子效应器件量子效应器件是指利用超晶格、量子以、量子线和量子点等微结构和超微结构所具有的各种量子化效应设计和...
半导体杂志基本信息
| 刊名 | 半导体杂志 | 主编 | 孙膺九 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会 | 主管单位 | 天津市科委 |
| 出版周期 | 季刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1005-3077 | CN | 12-1134/TN |
| 邮编 | 300192 | 电子邮箱 | |
| 电话 | 022-236153 | 网址 | |
| 地址 | 天津市河西区陈塘庄岩峰路 |
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