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半导体杂志
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主办单位：
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
ISSN：
1005-3077
CN：
12-1134/TN
出版周期：
季刊
邮编：
300192
地址：
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1. 有源衰减器及其应用研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 本文提出了一种有源衰减器，并探讨了这种有源衰减器对ＭＯＳＧｉｌｂｅｒｔ单元输入范围的改善。ＳＰＩＣＥ模拟结果表明，该有源ＭＯＳ衰减器结构简单，原理正确并且有较宽的线性输入范围。
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2. 薄膜型热印头电特性的测试刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 本文对薄膜型印头性能进行分析，重点讨论了热印头主要电特性－耐电脉冲击性能的测试原理、测试方法。同时，较详细地介绍了测试仪设计原理与电路。
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3. ∑△D／A转换原理及应用刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 本文从信号处理理论的角度，讨论了∑△Ｄ／Ａ转换技术，并介绍了二个应用实例。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 《ＺＰ型硅整流元件部标准》规定硅整流元件额定结温为１４０℃，为满足坦克硅整流元件的高温要求，在研制硅整充元件过程中，恰当地选取单晶电阻率，加上适当的表面造型和表面保护，制成结温达１９０℃的硅...
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5. 集成气体传感器的进展刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 本文综述了集成气体传感器的发展过程的工作机理，讨论了Ｓｃｈｏｔｔｋｙ气敏二极管、ＭＯＳ气敏二极管、ＭＯＳ气敏场效应厚膜集成气体传感器和集成气体传感器阵列。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 本文介绍了半导体ＳｉＣ材料的结构和特性、材料制备及器件研制的进展，并与Ｓｉ、ＧａＡｓ、金刚石等材料作了比较，强调指出ＳｉＣ做为一种接近实用的高温、高频、高功率和抗辐射器件材料的优越性，同时亦...
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7. 分形与凝聚态物理刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 分形是于１９７３年由曼德布罗特首先提出来的，他的专著《分形－形，机遇和维数》于１９７５年出版，标志着分形理论的正式诞生。他对分形的定义是：其组成部分与整体以某种方式相似的“形”叫做分形。
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8. 多孔硅电致发光器件刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 目前关于多孔硅发光特性研究已成为材料科学中的一个新热点，以电致发光器件为主攻方向的有关多孔硅的可能应用在不断报道。本文就此介绍了目前多孔硅电致发光器件的研究现状并对多孔硅发光器件在应用上存在...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年1期页码:摘要： 为了使理论计算结果更加符合实验数据，应当考虑缺陷半导体内晶格的最近邻乃至次近邻驰豫效应。本文介绍了应用Ｈａｒｒｉｓｏｎ的计算公式计算随杂质和主体原子键长而变化的晶格驰豫效应，并将ＧａＰ等掺杂...
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10. 半导体超晶格物理与器件（19）刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年1期页码:摘要： <正> 在半导体超晶格物理与器件的研究中,锗硅超晶格、异质结、量子阱材料与器件的研究占据着十分重要的地位.这是因为,以Si_(1-x)Ge_x/Si和Ge/Si为主的硅基低维材料具有许多显著...
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11. NTDCZSi中与氧有关的PL谱刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年2期页码:摘要： 中子嬗变掺杂直拉硅单晶在１０５０－１１００℃６ｈ退火时，体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷。光致发光在０．７６－１．０００ｅＶ范围出现了ＰＬ峰，而非中照的ＣＺＳｉ在相同条件...
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12. 新型功率器件IGBT研制刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年2期页码:摘要： 本文简述了ＩＧＢＴ的设计技术和制造工艺，对ＩＧＢＴ的Ｉ－Ｖ特性，开关特性及闩锁效应进行了系统的研究，结合实施工艺对ＩＧＢＴ的版 图及工艺进行了优化设计。合作开发了适于制作ＩＧＢＴ的异型厚外...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年2期页码:摘要： 在Si衬底上利用分子束外延法和开放式氯气系统气相外延法依次生长了GaAs外延pn结构.在77～300K温度和10<sup>18</sup>～10<sup>-2</sup>A/cm<sup>2...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年2期页码:摘要： 本文介绍了新一代功率器件ＩＰＭ，即智能功率模块的基本组成及技术。对其中的设计重点单片ＩＣ进行了优化设计，使之不仅具有通常的驱动和过流、短路、过热、欠压等保护功能，而且保护电路本身具有延时智能...
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15. 半导体材料与器件九十年代最新进展刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年2期页码:摘要： 本文分别从单晶的尺寸、质量、新型器件、微加工及其集成度和性能几方面报导半导体材料与器件九十年代的世界水平。
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16. SiC半导体材料与器件（2）刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年2期页码:摘要： <正> 随着SiC单晶和薄膜制备技术日趋成熟以及相关器件工艺的显著进展,各种SiC器件如pn结与肖特基势垒整流器、JFET、MESFET、增强/耗尽型MOSFET、SiC-Si异质结高频双极...
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17. 微区电学测试探针技术刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年2期页码:摘要： 本文阐述了微区电学测试的重要性，对探针的微区测试条件及方法作了评价。最后提出若干种适合微区薄层电阻测量的测试结构。
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18. 半导体超晶格物理与器件（20）刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年2期页码:摘要：
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19. 不同覆盖层GeSi波导的光场分析刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年3期页码:摘要： 利用计算机求解有效折射率的方法，对两种脊形波导进行了分析。结果表明，同一结构参数的脊形波导脊上覆盖Ｓｉ层其余部分覆盖ＳｉＯ２层比全覆盖ＳｉＯ２层对光限制作用强。
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20. 辐照对IGBT特性的影响刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年3期页码:摘要： 本文简述了中子辐照对ＩＧＢＴ特性的影响，给出了器件在中国辐射注量高达１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２时的实验结果。实验发现，随着中子注量的增加，开关进行缩短，阈值电压漂移。对于所研究的注量范围，观察的...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年3期页码:摘要： 本文研究了将电流检测功能集成到ＩＧＢＴ中块ＩＧＢＴｓｅｎｓｅ，对ＩＧＢＴｓｅｎｓｅ的基本结构和等效电路进行了分析，提出了一种适于ＰＳＰＩＣＥ分析的ＩＧＢＴｓｅｎｓｅ模型，并详细给出了确定模型...
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22. 掺锗CZSi中光致发光谱的研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年3期页码:摘要： 本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅在温度３５０℃－５５０℃等时退火后的光致发光谱。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激光峰强的增加，ＰＬ谱随着锗浓度的增加，峰位向低能端移动，ＰＬ峰变宽。
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23. 智能化压力传感器的研制刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年3期页码:摘要： 本文主要介绍智能化硅压力传感器的微机检测，运算处理和控制。由平面工艺制成的硅压阻传感器，当其把压力信号转换为电信号后，经模拟通道的予处理，再由微机对检测的信号进行压力零点及灵敏度的温度补偿以...
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24. 开管铝镓扩散的掺杂机制刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年3期页码:摘要： 针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术，本文就其掺杂机制进行了分析讨论。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年3期页码:摘要： 本文介绍了一种超高速ＥＣＬ硅双极低功耗÷８静态分频器的电路原理，电路设计，版图设计，工艺设计及研制结果。整个电路设计以提高电路工作速度和温度特性为中心，采用优化的开关电流分配，最佳的电路工作...
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26. 我国IC工业与国外的差距及赶超刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年3期页码:摘要： 介绍了我国ＩＣ工业怀国外的差距，主要包括产量，质量，品种，工艺，生产线，投资，工厂，材料和设备等，提出了赶超世界先进水平的几点建议。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年3期页码:摘要： 本文介绍了ＭＯＳ集成电路的静电击穿机理，提出了在ＭＯＳ集成电路生产过程中的一些防静电措施。
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28. 半导体超晶格物理与器件（终篇）刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年3期页码:摘要： 半导体超晶格物理与器件（终篇）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）五、谐振隧穿量子效应器件谐振隧穿是电子在垂直于超晶格异质结方向输运性质研究的一个重要环节［４６～４７］。从本质上讲...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年4期页码:摘要： 通过对ＧｅｘＳｉ１－ｘ脊形光波导中的ＴＥ模式的理论分析与计算，得出了不同内脊高ｂ对应的脊宽Ｗ与外脊高ｈ的关系曲线。为这种脊形光波导的结构设计提供了可以信赖的依据。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1996年4期页码:摘要： 本文介绍了一种适用于ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ表面钝化的新方法。通过对器件进行硫钝化处理，我们发现钝化能使器件的击穿电压提高和表面漏电减少。我们认为造成这种现象的原因，是由于硫钝化减少了栅漏附...
半导体杂志基本信息
| 刊名 | 半导体杂志 | 主编 | 孙膺九 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会 | 主管单位 | 天津市科委 |
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