第2页_半导体光电2010年第3期出版文献-钛学术文献服务平台

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半导体光电

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Semiconductor Optoelectronics

CA JST SA CSTPCD

影响因子 0.5046

本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。

主办单位：

重庆光电技术研究所

期刊荣誉：

信息产业部优秀电子期刊 重庆市优秀期刊

ISSN：

1001-5868

CN：

50-1092/TN

出版周期：

双月刊

邮编：

400060

地址：

重庆市南坪花园路14号44所内

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热门刊内文献

年度刊次

31. 准行波半导体光放大器的简化模型

作者：严一民刘普生杨华军王刚荣健

刊名：半导体光电

发表期刊： 2010年3期

页码: 344-348,425

摘要：从理论上提出了一个针对准行波半导体光放大器(TWSOA)的简化功率行波方程模型.通过数值分析给出了简化模型的适用范围.结果表明:在放大器两个端面反射率均小于10-3时,简化模型的计算相对误差...
32. 掺杂C545T对2T-NATA作为空穴注入层OLED性能的影响

作者：刘丁菡姚毅张方辉蒋谦阎洪刚马颖

刊名：半导体光电

发表期刊： 2010年3期

页码: 356-359,362

摘要：实验制备了6组结构为ITO/2T-NATA(15 nm)/NPB(25 nm)/Alq3(20 nm):C545T(x%)/Alq3(30 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)的...
33. a-Si:H薄膜的磷-碳二元复合掺杂改性研究

作者：李伟李志蒋亚东蔡海洪龚宇光

刊名：半导体光电

发表期刊： 2010年3期

页码: 372-375,379

摘要：以SiH4,PH3,CH4为源气体,采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,通过改变CH4流量制备了磷、碳二元掺杂非晶硅薄膜,研究了磷、碳二元掺杂对薄膜微观结构和光学性能的影...
34. 基于单负材料的光子晶体异质结构全方位滤波器

作者：安丽萍邓新华

刊名：半导体光电

发表期刊： 2010年3期

页码: 383-386

摘要：用传输矩阵方法研究了由两种单负材料组成的光子晶体异质结构的透射性.结果表明,由于界面衰减模的耦合,在光子晶体异质结构的禁带中出现了一种特殊的隧穿模,该模的频率不随入射角的变化而变化,而且具有...
35. 掺Er3+的新型GeS2-In2S3-CsI玻璃双光子吸收绿光上转换发光研究

作者：徐铁峰戴世勋沈祥王训四章向华聂秋华邓圣伟

刊名：半导体光电

发表期刊： 2010年3期

页码: 397-401

摘要：用熔融急冷法制备了掺Er3+的80GeS2-10In2S3-10CsI(mol%)硫卤玻璃样品,研究了该样品的吸收光谱和上转换光谱,分析了Er3+离子在该玻璃中的上转换发光机理.应用Judd...
36. 双周期光量子阱中的共振透射谱

作者：胡素梅陈海波高英俊

刊名：半导体光电

发表期刊： 2010年3期

页码: 412-417,471

摘要：用传输矩阵法研究了一维双周期光量子阱中的共振透射谱,揭示了光子隧穿双周期光量子阱时共振透射谱线的规律.研究发现,该结构拓宽了光子禁带区域,同时禁带中出现了多个共振透射谱,光子晶体的垒区通带频...

半导体光电基本信息

刊名	半导体光电	主编	江永清
曾用名
主办单位	重庆光电技术研究所	主管单位	中国电子科技集团公司
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN	1001-5868	CN	50-1092/TN
邮编	400060	电子邮箱	soe@163.net
电话	023-62806174	网址	www.semiopto.net
地址	重庆市南坪花园路14号44所内