微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 吴锡九 邓先灿
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年11期
    页码:  503-504
    摘要: 50年前,中国自行研制的第一个晶体管在应用物理研究所半导体器件实验室诞生了.本文介绍了参加第一次研制的工作人员以及他们克服各种困难,研制出锗pnp合金三极管的过程.
  • 作者: 袁明文
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年11期
    页码:  505-507,529
    摘要: 介绍了几种后CMOS器件可能的候选器件:谐振隧道器件、单电子晶体管、碳纳米管晶体管、分子器件和自旋晶体管.
  • 作者: 卜夏正 商耀辉 武一宾 王建峰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年11期
    页码:  508-511,519
    摘要: 在共振隧穿二极管(RTD)的MBE生长中,用双生长速率和束流调制技术实现了RTDnm级薄层的精细控制;用X射线双晶衍射仪扫描并分析了典型双势垒RTD样品的衍射摇摆曲线;用计算机对样品结构进行...
  • 作者: 冯震 杨孟丽
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年11期
    页码:  512-514
    摘要: 对量子阱红外探测器研制中通常采用的铟膜制备和铟柱生长技术进行了研究.从铟源的选择及蒸发的方法、距离、真空度的控制等方面做了大量实验,优化出了最佳工艺条件.铟源的纯度99.99%,电子束蒸发厚...
  • 作者: 李景琼 黄其煜
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年11期
    页码:  515-519
    摘要: 介绍了纳米薄膜太阳能电池的基本原理与分类,比较了纳米薄膜太阳能电池与传统固态结太阳能电池的优劣,得出了虽然目前纳米薄膜太阳能电池转换效率还无法与传统固态结太阳能电池相比,但由于其制造成本低廉...
  • 作者: 刘美淋 孙金全 张国松 张洪云 王积森
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年11期
    页码:  520-524
    摘要: 分子模拟是研究碳纳米管结构、性能和应用的重要途径,碳纳米管模型的建立是分子模拟的基础.从碳纳米管中碳原子之间的几何关系出发,以扶手椅型单壁碳纳米管为例,确定了一个supercell中所有碳原...
  • 作者: 李言荣 齐增亮
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年11期
    页码:  525-529
    摘要: 探索准一维纳米结构材料的维数和尺寸,对其光学、电学和力学等性质的影响有很大的研究价值.介绍了半导体纳米棒、纳米线、纳米带等典型准一维纳米材料的一些最新研究进展,并对准一维纳米材料的研究趋势作...
  • 作者: 张跃
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年11期
    页码:  530-534
    摘要: 研究了由J.Bourgoin和M.Lannoo提出的半导体内Jahn-Teller畸变效应的计算理论.应用Bourgoin和Lannoo的方法研究了含中心氮杂质金刚石结构的Jahn-Tell...
  • 作者: 周洪波 李刚 赵建龙 金庆辉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年11期
    页码:  535-540,545
    摘要: 神经工程系统对人们揭示神经系统的工作机理以及探索神经疾病治疗和康复的有效手段具有重要意义,而微电极是神经工程系统中最关键的部件.从微电极的形式、材料和性能评价等几个方面对国际上应用于神经工程...
  • 作者: 陈新安 黄庆安
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年11期
    页码:  541-545
    摘要: 根据Suhir的双金属带的热应力分布理论,建立了Si/Si直接键合界面应力模型,推导出了由于高温引起的正应力、剪切应力和剥离应力的解析方程.并且应用模拟软件Matlab对热应力进行了模拟,直...
  • 作者: 严伟 王肇志 罗正全 胡松 胡翔宇 赵立新
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年11期
    页码:  546-548,552
    摘要: 计算图像高频分量进行成像的调焦是自动调焦的方法之一.通过对调焦评价函数的分析,根据激光共聚焦生物芯片扫描的成像特点,提出了一种调焦评价函数-像素灰度差绝对值求和法.运用爬山搜索算法进行多次重...
  • 作者: 刘博 刘玉岭 刘长宇 孙鸣 贾英茜
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年11期
    页码:  549-552
    摘要: 阐明了化学机械抛光(CMP)工艺在集成电路制造中所发挥的关键作用,介绍了作为IC多层布线层间介质SiO2的化学机械抛光机理及其抛光液在化学机械抛光中扮演的重要角色,着重分析了影响SiO2介质...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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