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微纳电子技术期刊
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名： 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
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总被引数（次）
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  • 1. 纳米CMOS电路的应变Si衬底制备技术
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  309-318
    摘要： 应变硅衬底材料--弛豫SiGe层作为应变硅技术应用的基础,其质量的好坏对应变硅器件性能有致命的影响.综述了近年来用于纳米CMOS电路的各类弛豫SiGe层的制备技术,并对弛豫SiGe层中应变测...
  • 2. 65nm芯片设计和制造中的几个问题
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  319-322
    摘要： 65nm芯片的设计需要采用可制造性设计(DFM)、多种分析方法和团队通力合作的精神;65nm芯片制造工艺需采用193nm浸入式光刻技术、等效离子掺杂技术、原子层沉积技术、低应力CMP工艺及无...
  • 3. 光子晶体光纤激光器
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  323-328,332
    摘要： 光子晶体光纤激光器可标定kW级的输出功率,可使高功率工作的掺稀土光纤激光器产生变革.介绍了光子晶体光纤激光器的基本概念、特性及其典型器件.
  • 4. 用于1.5μm BiCMOS技术的SiGe HBT结构及工艺研究
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  329-332
    摘要： 基于非选择性外延,基极/发射极自对准和集电区选择性注入,提出了一种可用于1.5μm SiGe BiCMOS集成的HBT器件结构及其制作流程.并利用TSuprem4,Medici进行了工艺模拟...
  • 5. 纳米Fe粉的制备研究
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  333-337,341
    摘要： 总结了纳米Fe粉的制备方法,重点介绍了一种新的制备方法--封闭循环氢还原法.该方法以FeSO4·7H2O和NaOH为原料,采用沉淀方法制备粒径为30～70 nm的Fe2O3粉末,其反应条件为...
  • 6. BST陶瓷膜制备方法及优化
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  338-341
    摘要： 采用微波加热技术和添加高分子分散剂,通过sol-gel法制备BST纳米粉体,再将纳米粉分散于BST溶胶中,通过分步甩胶工艺,制备BST陶瓷膜.XRD图谱显示,制备的BST陶瓷呈现典型的钙钛矿...
  • 7. 基于微/纳尺度冷却扩展热电元件的制冷极限
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  342-350
    摘要： 提出一种借助于在热电冷却器热端引入微尺度冷却,以提高其制冷性能参数的新方法,并建立了相应的理论模型来刻画该过程,并在此基础上对各类有助于提高制冷性能的潜在途径进行了参数化研究.结果表明,热电...
  • 8. 用于衍射微光学元件制备的无掩模光刻技术
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  351-354
    摘要： 提出了一种新的基于数字微镜的无掩模光刻技术,将以往的模拟掩模发展为数字掩模,为大规模、快速、灵活制作衍射微光学元件开辟了一条新的道路;重点研究了数字掩模技术的实现原理,并进行了验证.

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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