微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
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3266
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  • 作者: 吕雪芹 姚真瑜 张保平
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  609-614,622
    摘要: 介绍了光栅外腔半导体激光器应用外部光栅实现选模和线宽压窄的基本原理,以及Littrow和Littman两种典型外腔结构和主要组成光学元件,讨论了主要性能表征参数包括调谐范围、激射线宽和边模抑...
  • 作者: 于庆伟 杜江峰 杜龙欢 荣丽梅 郑小明
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  615-622
    摘要: 理论计算已逐渐成为从原子尺度上研究Si/SiO2界面特性的必要手段,选择合适的Si/SiO2界面原子结构模型是准确计算Si/SiO2界面特性的前提.梳理比较了Si/SiO2界面特性研究方面目...
  • 作者: 凌源 寇波 李昕熠 赵兴海 鲍景富 黄裕霖
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  623-628
    摘要: 针对MEMS开关提高电容比需要提高驱动电压的问题,提出了一种应用于Ku频段的阶跃结构MEMS开关,该结构结合了固支梁开关和悬臂梁开关,使得开关有两个驱动高度.当固支梁被吸合时,悬臂梁高度会随...
  • 作者: 刘晓明 朱钟淦 洪泉 邓振雷 陈焕辉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  629-634
    摘要: 对基于MEMS的高阻硅基底阵列式微带天线设计、制造及测试三部分内容进行了研究.此X波段阵列式微带天线以高阻硅为基底,采用背面刻蚀基底厚度一半的空气腔,使用侧馈的方式馈电,以二等功分器构成馈电...
  • 作者: 刘连庆 张晓龙 焦念东 高宏伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  635-638,661
    摘要: 介绍了一种基于数控雕刻机的简捷微流控芯片制作方法.结合数控雕刻机加工模式中平行粗加工和等高线细加工的优点,设计并提出了一种不对称路径加工方法,有效避免了微结构在加工过程中出现断裂、扭曲及其附...
  • 作者: 宁智超 樊书晓
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  639-645
    摘要: Turner机理对于化学刻蚀中多孔硅形成的描述中,并未对表面活性数据和纳米结构的形成进行详细解释.通过研究发现氧化物在纳米多孔硅薄膜的形成中并不起重要作用,基于对化学刻蚀和纳米结构形成机理的...
  • 作者: 吴淑娟 张斌珍 王伟 王春水
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  646-651
    摘要: 提出一种反面水浴斜曝光的方法用于制作主光轴平行于基底的微透镜阵列.已有的水浴斜曝光法中,由于基底处光刻胶获得曝光剂量较少而不易充分交联固化,在显影时出现与基底粘附不牢固,导致成品率较低.反面...
  • 作者: 刘玉岭 岳红维 王伟超 王胜利 王辰伟 马锁辉 高娇娇
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  652-655,666
    摘要: 通过对阻挡层CMP后布线片各个单元的电学参数的检测,研究了阻挡层CMP后产生的铜损失问题.通过探索规律性实验研究了螯合剂和表面活性剂对铜和钽的去除速率的影响规律,得到铜的去除速率与阻挡层材料...
  • 作者: 吴汉明 洪中山
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  656-661
    摘要: 综述了多重图形技术的研究进展,简述了多重图形技术的目的和意义.首先,按照技术特征,将多重图形技术分为纯间距分离技术、纯间距分割技术和间距分离分割混合技术.然后,介绍了三种多重图形技术的代表性...
  • 作者: 代克杰 李艳 陈辉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  662-666
    摘要: 由于石墨烯的特殊半导体性质,实现其在电子器件中实际应用的关键是对石墨烯层进行微纳结构处理.简单介绍了飞秒四光束干涉技术应用于石墨烯微纳加工的优势.对实现飞秒四光束干涉的两种实验方法进行了介绍...
  • 作者: 刘玉岭 杨琰 王胜利 王辰伟 马锁辉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  667-670
    摘要: 在硅通孔(through silicon via,TSV)的铜互连技术中,对于阻挡层的抛光,Ti和Cu去除速率非常重要.实验中采用的阻挡层材料为Ti,主要研究了pH值和氧化剂(H2O2)对T...
  • 作者: 史月增 徐永宽 李晖 程红娟 郝建民
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  671-674
    摘要: 采用无籽晶物理气相传输(PVT)方法生长出ZnTe晶体.实验开始,温差较大,压强相对较低,造成晶体生长速率过快,从而以各成核点为中心进行岛状生长,形成了结构密集的ZnTe多晶结构.实验过程中...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2013年10期
    页码:  675-676
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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