微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 卢忠花 王丹丹 王卿璞 袁帅 鲁海瑞
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2014年11期
    页码:  685-691,701
    摘要: 综述了近期柔性可穿戴电子的研究进展以及在现代生活中的发展应用,阐明了柔性薄膜电子在医学和生活娱乐等领域的发展方向和潜在应用,特别是在医疗领域,柔性电子的发展与应用将是人们未来生命健康监测与治...
  • 作者: 何建学 康鹏 王玫 肖志松 胡琪 贾林楠 韩少奇 黄安平
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2014年11期
    页码:  692-701
    摘要: 从调控氧化物忆阻器电导特性的主要方法与机理出发,综述了纳米点在氧化物忆阻器电导行为调制及其参数稳定性改善等方面的研究进展.针对纳米点调控氧空位的扩散迁移、电场迁移及其共同作用,分析了纳米点对...
  • 作者: 刘贵山 王丽君 田庭燕 聂铭歧 郝洪顺 马铁成 高文元
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2014年11期
    页码:  702-706,742
    摘要: 采用电化学阳极氧化法在钛箔表面制备了TiO2纳米管阵列膜层,形成TiO2纳米管柔性光阳极并应用于染料敏化太阳电池(DSSC).用X射线衍射、扫描电镜及紫外可见光谱仪对纳米管阵列的物相、微观形...
  • 作者: 付荣荣 陈玉静 高善民
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2014年11期
    页码:  707-716,723
    摘要: 将ZnO和TiO2复合形成ZnO/TiO2纳米复合材料,从而改善二者的光电转换性能成为近年的研究热点之一.总结了目前常用的ZnO/TiO2纳米复合材料的制备方法,并对每一种方法的优缺点进行了...
  • 作者: 于潇洋 吴兆坤 张一轲 郝惠莲
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2014年11期
    页码:  717-723
    摘要: 基于X射线衍射仪、喇曼散射、光致发光(PL)和傅里叶红外吸收光谱等技术,详细研究了氢稀释比对纳米晶硅(nc-Si∶H)薄膜结构和光致发光性能的影响.随着氢稀释比的增加,所沉积薄膜的纳米晶硅尺...
  • 作者: 余雄江 吕泽 徐进良 金武
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2014年11期
    页码:  724-730
    摘要: 通过分析微流体系统沸腾过程中两相流流型、压降特性和传热特性三个关键问题,总结了微流体系统中沸腾特性的研究进展.分散流、间歇流和环状流是微通道的三类基本流型.流型和传热分析中考虑了壁面润湿性、...
  • 作者: 周航 宋永欣 潘新祥 王成法
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2014年11期
    页码:  731-736,742
    摘要: 介绍了一种在微通道内基于直流诱导电渗流的样品聚焦方法.在样品微通道两侧壁面布置一对平行金属板,当通道两端施加一定的直流电压时,金属壁面处会形成涡流并挤压样品流动,从而实现聚焦.数值模拟研究表...
  • 作者: 冯能清 李德良 盛国军 黄世玉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2014年11期
    页码:  737-742
    摘要: 以硫代硫酸金钠(Na3 Au (S2O3)2)和水合肼(N2H4·H2O)为原料,聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)作保护剂,一步还原制备出了一种单分散纳米金溶胶溶液.通过单因素实验和正交实验研究了...
  • 作者: 周世增 孙聂枫 梁仁和 金艳
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2014年11期
    页码:  743-747,751
    摘要: 基于磷蒸气注入原位合成技术及液封直拉磷化铟(InP)单晶的原理,设计了CZ-50型InP单晶炉.介绍了该单晶炉的主体结构,特别是原位合成装置的结构.该装置不仅可以实现磷蒸气注入法原位合成In...
  • 作者: 冯丰 王书杰 王阳
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2014年11期
    页码:  748-751
    摘要: 通过原位磷注入液封直拉(LEC)法在富铟熔体中生长了〈100〉方向的磷化铟单晶,并研究了晶体内缺陷形态及形成机制.在富铟熔体中生长的磷化铟晶锭中发现,多种形态富铟夹杂物镶嵌在磷化铟基体中.在...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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