氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法

摘要:
本发明涉及第三代半导体材料ZnO晶体的通气坩埚下降生长方法,属于单晶生长领域。特征是:将初始原料ZnO(4N)与助熔剂按一定的摩尔比称量、配料并均匀混合,装入贵金属坩埚内;将坩埚置于事先设计好的具有通气或通水系统的保温陶瓷管内,在下降炉中加热熔化原料;待原料完全熔化后,通入气体或水并开始以小于2mm/h速率下降坩埚,待全部熔体凝固并冷却到室温后,可获得所需的ZnO单晶。本方法的特点在于,坩埚底部通入气体使坩埚局部过冷并快速形成晶核,从而能够生长出大尺寸ZnO晶体。本方法工艺设备简单,操作方便,可一炉生长多个晶体,有利于实现晶体生长的工业化。
基本信息
专利类型 发明
申请(专利)号 CN200610025074.6 申请日 2006-03-24
授权公布号 CN100360720C 授权公告日 2008-01-09
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 
地址 上海市定西路1295号
发明人 徐家跃 李新华 申慧 钱国兴 罗丽庆 武安华 林雅芳 
分类号 C30B11/00(2006.01) C30B29/16(2006.01)  主分类号 C30B11/00(2006.01)
国省代码 上海 页数 7
代理机构 上海智信专利代理有限公司
代理人 中国科学院上海硅酸盐研究所 
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2012.06.13 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20060324授权公告日:20080109终止日期:20110324
2008.01.09 授权 授权
2006.12.06 实质审查的生效
2006.10.11 公开 公开
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