一种基于FePt磁性层的磁记录介质及其制备方法

发明人:
摘要:
本发明公开了一种基于FePt磁性层的磁记录介质,包括基片(1)、FePt磁性层(3)和保护层(4),磁记录介质还包括AuCu合金缓冲层(2),该AuCu合金缓冲层设于所述基片和所述FePt磁性层之间;本发明提供一种基于FePt磁性层的磁记录介质,该磁记录介质的磁性层为等原子比或接近等原子比的FePt合金,通过添加了特殊的缓冲层,在磁性层厚度很薄的情况下,仍然可以大大降低有序化温度;FePt磁性层实现了信息的高密度记录;在磁性层上覆盖一层薄的保护层,一方面可以保护磁性层,另一方面可以达到更好的平整度以及润滑的作用。制备这种磁记录介质的方法简单、重复且稳定,非常适合实际操作。
基本信息
专利类型 发明
申请(专利)号 CN200510059359.7 申请日 2005-03-28
授权公布号 CN100369121C 授权公告日 2008-02-13
申请人 中国科学院物理研究所 
地址 北京市海淀区中关村南三街8号
发明人 竺云 蔡建旺 
分类号 G11B5/66(2006.01) G11B5/84(2006.01)  主分类号 G11B5/66(2006.01)
国省代码 北京 页数 11
代理机构 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
代理人 中国科学院物理研究所 
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2012.06.13 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):G11B 5/66申请日:20050328授权公告日:20080213终止日期:20110328
2008.02.13 授权 授权
2005.11.23 实质审查的生效
2005.09.28 公开 公开
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