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金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
申请人：
摘要：
一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，是先于一衬底上形成栅极结构，再于栅极结构侧壁形成偏移间隙壁。然后，进行第一离子注入工艺，以于栅极结构侧边的衬底内形成LDD，再于偏移间隙壁的侧壁形成另一间隙壁。接着，进行第二离子注入工艺，以于前述间隙壁侧边的衬底内形成源极与漏极，再于源极与漏极表面形成一硅化金属层。之后，于硅化金属层表面形成一氧化层，再将间隙壁去除。随后，于衬底上形成一层蚀刻中止层。由于硅化金属层表面有氧化层保护，所以不会受到去除间隙壁时所采用的溶剂损害。
基本信息
| 专利类型 | 发明 | ||
| 申请(专利)号 | CN200510108839.8 | 申请日 | 2005-09-30 |
| 授权公布号 | CN100461453C | 授权公告日 | 2009-02-11 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||
| 发明人 | 曹博昭 黄昌琪 陈铭聪 江怡颖 张毓蓝 李忠儒 吴至宁 廖宽仰 | ||
| 分类号 | H01L29/78(2006.01) H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 国省代码 | 中国台湾 | 页数 | 14 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | ||
| 代理人 | 联华电子股份有限公司 | ||
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