一种金属多层膜霍尔器件及其制备方法

发明人:
摘要:
本发明涉及一种金属多层膜霍尔器件,其由在硅基片上交替生长的磁性金属层和Pt层构成,磁性金属选用Fe、Co或/和CoFe合金。该金属霍尔器件具有超高灵敏度,在室温下甚至可以达到1200V/AT,这已经超过了目前半导体霍尔器件的灵敏度,可应用于传感器和磁存储系统中。本发明提供的上述金属霍尔器件的制备工艺简单、重复且稳定,非常适合实际操作。
基本信息
专利类型 发明
申请(专利)号 CN200610144053.6 申请日 2006-11-24
授权公布号 CN100555698C 授权公告日 2009-10-28
申请人 中国科学院物理研究所 
地址 北京市海淀区中关村南三街8号
发明人 竺云 蔡建旺 
分类号 H01L43/06(2006.01) H01L43/04(2006.01) H01L43/14(2006.01)  主分类号 H01L43/06(2006.01)
国省代码 北京 页数 12
代理机构 北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 高存秀 
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2014.01.15 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 43/06申请日:20061124授权公告日:20091028终止日期:20121124
2009.10.28 授权 授权
2008.07.30 实质审查的生效 实质审查的生效
2008.06.04 公开 公开
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