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铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜的制备方法
铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜的制备方法
申请人：
摘要：
本发明公开了一种铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜的制备方法，属于微电子新材料与器件范围。本发明铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜使用溶胶凝胶方法制备，前躯体溶液浓度为0.04～0.05摩尔/升，在每次旋转涂覆后，都对经过烘烤、热解的薄膜进行退火处理，退火时，把薄膜样品从室温、大气环境中直接放入已升温至645～655℃的管式炉中，在空气气氛下，退火5～10分钟。本发明铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜为择优取向的多晶薄膜，晶粒呈柱状且尺寸较大，具有疲劳特性较好和结晶温度较低的优点，可与现有CMOS工艺兼容。
基本信息
| 专利类型 | 发明 | ||
| 申请(专利)号 | CN200710168369.3 | 申请日 | 2007-11-16 |
| 授权公布号 | CN101168488A | 授权公告日 | 2008-04-30 |
| 申请人 | 华中科技大学 | ||
| 地址 | 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||
| 发明人 | 于军 杨斌 郑朝丹 李佳 王耘波 高俊雄 周文利 | ||
| 分类号 | C04B41/50(2006.01) C04B35/462(2006.01) G11B9/02(2006.01) | 主分类号 | C04B41/50(2006.01) |
| 国省代码 | 湖北 | 页数 | 13 |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 | ||
| 代理人 | 华中科技大学 | ||
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