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一种高深宽比硅通孔铜互连线及其制备方法
一种高深宽比硅通孔铜互连线及其制备方法
申请人：
摘要：
一种高深宽比硅通孔铜互连线：在从电沉积铜开始端至终止端直径为从细至粗的铜互连线。采用电沉积制备上述铜互连线的方法：其特征在于：电沉积铜从较细端到较粗端生长，阳极采用高纯的电解铜板，其面积大于或等于阴极的两倍；导通电流密度保持恒定；在转向电沉积过程中，并且正向电流和负向电流强度相等，正向电流导通时间是负向电流的5倍。本发明采用逐渐变细的硅通孔作为生长电沉积铜的通道，该硅通孔可以自动调节电沉积过程中局部有效电流密度的分布，并且有利于电沉积过程中阴极产生气泡从孔中的逸出，从而实现高深宽比、无孔洞缺陷的硅通孔铜互连线的制备。
基本信息
| 专利类型 | 发明 | ||
| 申请(专利)号 | CN200910041532.9 | 申请日 | 2009-07-30 |
| 授权公布号 | CN101661922B | 授权公告日 | 2014-04-09 |
| 申请人 | 广州市香港科大霍英东研究院 | ||
| 地址 | 广东省广州市南沙经济开发区南沙资讯科技园软件楼N301 | ||
| 发明人 | 谷长栋 徐辉 张统一 | ||
| 分类号 | H01L23/528(2006.01) H01L21/768(2006.01) C23C14/34(2006.01) C23C14/16(2006.01) C25D7/06(2006.01) C25D5/18(2006.01) C23F1/12(2006.01) C23C28/02(2006.01) | 主分类号 | H01L23/528(2006.01) |
| 国省代码 | 广东 | 页数 | 9 |
| 代理机构 | 广州知友专利商标代理有限公司 | ||
| 代理人 | 广州市香港科大霍英东研究院 | ||
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