对准标记及缺陷检测方法

摘要:
本发明是披露一种对准标记及缺陷检测方法。该缺陷检测方法首先利用一第一缺陷检测系统对一晶片进行一第一缺陷检测步骤,晶片上具有至少一对准标记,第一缺陷检测步骤另包含对准该对准标记,且对准标记为第一缺陷检测步骤的参考点(referencexa0point)。然后对晶片进行一工艺,并接着利用一第二缺陷检测系统对晶片进行一第二缺陷检测步骤,第二缺陷检测步骤另包含对准该对准标记,且对准标记为第二缺陷检测步骤的参考点。
基本信息
专利类型 发明
申请(专利)号 CN200810166502.6 申请日 2008-10-09
授权公布号 CN101719477B 授权公告日 2013-04-24
申请人 联华电子股份有限公司 
地址 中国台湾新竹科学工业园区
发明人 周玲君 陈铭聪 刘喜华 雷舜诚 曹博昭 
分类号 H01L21/66(2006.01) H01L23/544(2006.01)  主分类号 H01L21/66(2006.01)
国省代码 中国台湾 页数 8
代理机构 北京市柳沈律师事务所
代理人 联华电子股份有限公司 
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2013.04.24 授权 授权
2011.08.24 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/66申请日:20081009
2010.06.02 公开 公开
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