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一种去除磷和金属杂质的提纯硅的方法
一种去除磷和金属杂质的提纯硅的方法
申请人：
摘要：
本发明涉及一种去除磷和金属杂质的提纯硅的方法。其包括以下步骤：将封密式提纯炉内净化，加热熔融封密式提纯炉石墨坩锅内的金属硅；对呈熔融状态的金属硅溶液喷吹预热的O2和Ar混合气体；停止吹入O2和Ar混合气体，通过硅液底部骤冷，使其从底部向上进行定向凝固；硅锭出炉，去四周及头尾完成提纯得到高纯度的多晶硅。与现有技术相比，本发明通过直流电弧放电加热硅熔化成液态，同时底部吹预热的O2和Ar实现搅拌作用，让具有高发挥系数的磷等杂质去除；搅拌时间达到设定值后，从底部向上进行定向凝固，完成了对硅去磷除金属的提纯。本发明是一种低成本、工艺简单、无环境污染问题，改进了硅材料的性能、是一种易于产业化的硅提纯的制作工艺和制作方法。
基本信息
| 专利类型 | 发明 | ||
| 申请(专利)号 | CN200910048704.5 | 申请日 | 2009-04-01 |
| 授权公布号 | CN101850975A | 授权公告日 | 2010-10-06 |
| 申请人 | 高文秀 | ||
| 地址 | 上海市虹口区玉田路500号 | ||
| 发明人 | 高文秀 赵百通 | ||
| 分类号 | C01B33/037(2006.01) | 主分类号 | C01B33/037(2006.01) |
| 国省代码 | 上海 | 页数 | 6 |
| 代理机构 | 上海京沪专利代理事务所（普通合伙） | ||
| 代理人 | 高文秀 | ||
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