逆导型SOI LIGBT器件单元

摘要:
本发明涉及一种逆导型SOI?LIGBT器件单元。常规的SOI?LIGBT由于没有集成反向续流器件,不具备逆向导通功能。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧化层;其中隐埋氧化层将半导体衬底和顶层器件层完全隔离,顶层器件层分为缓冲区和漂移区,内部沟槽隔离氧化层将顶层器件层隔离成主器件部分和续流二极管部分;主器件部分上设置有主器件阳极接触区、主器件阳极短路点区,续流二极管部分设置有续流二极管阴极接触区。本发明由于将反向续流二极管集成在SOI?LIGBT器件单元结构之中,无需外接任何器件就具有逆向导通能力,有利于节省资源、降低能耗。
基本信息
专利类型 发明
申请(专利)号 CN201010197471.8 申请日 2010-06-08
授权公布号 CN101872771A 授权公告日 2010-10-27
申请人 杭州电子科技大学 海安县科技成果转化服务中心 
地址 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
发明人 张海鹏 苏步春 张亮 张帆 牛小燕 林弥 
分类号 H01L27/12(2006.01)  主分类号 H01L27/12(2006.01)
国省代码 浙江 页数 8
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司
代理人 杭州电子科技大学 海安县科技成果转化服务中心 
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2010.10.27 公开 公开
2014.07.23 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):H01L 27/12变更事项:专利权人变更前权利人:杭州电子科技大学变更后权利人:海安县科技成果转化服务中心变更事项:地址变更前权利人:310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街变更后权利人:226600 江苏省南通市海安县城长江中路106号登记生效日:20140701
2011.11.16 授权 授权
2020.06.02 未缴年费专利权终止 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L27/12 授权公告日:20111116 终止日期:20190608
2010.12.08 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/12申请日:20100608
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