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透明导电性薄膜的制造方法

透明导电性薄膜的制造方法

发明人：

梨木智刚菅原英男

申请人：

日东电工株式会社

摘要：

本发明提供一种透明导电性薄膜的制造方法，其中透明导电性薄膜是在透明的薄膜基材的单面或两面上，经由至少一层底涂层地具有透明导电体层，并且所述透明导电体层被图案化，且在不具有所述透明导电体层的非图案部具有所述至少一层底涂层的透明导电性薄膜，所述透明导电性薄膜的制造方法的特征在于，在透明的薄膜基材的单面或两面上，形成至少一层底涂层的工序；在所述底涂层上利用溅射法形成透明导电体层的工序；将所述透明导电体层蚀刻并图案化的工序；以及将已被图案化的所述透明导电体层退火处理并使其结晶化的工序。

基本信息

专利类型	发明
申请(专利)号	CN201110043080.5	申请日	2008-01-18
授权公布号	CN102097160A	授权公告日	2011-06-15
申请人	日东电工株式会社
地址	日本大阪府
发明人	梨木智刚菅原英男
分类号	H01B5/14(2006.01) H01B13/00(2006.01) B32B9/04(2006.01) B32B15/08(2006.01) G06F3/041(2006.01)N	主分类号	H01B5/14(2006.01)
国省代码	日本	页数	21
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
代理人	日东电工株式会社

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013.02.13	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01B 5/14申请公布日:20110615
2011.08.10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01B 5/14申请日:20080118
2011.06.15	公开	公开

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