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一种可转移碲镉汞薄膜的制备方法
一种可转移碲镉汞薄膜的制备方法
申请人：
摘要：
本发明涉及一种可转移碲镉汞薄膜的制备方法，将金属衬底气相沉积得到石墨烯层，得到的结构材料与表面均匀涂有光解胶的离型薄膜通过适当加温烘烤使其粘合为一体，然后将金属衬底腐蚀掉，将剩余的“石墨烯+光解胶层+离型薄膜”结构材料用去离子水漂洗后烘干与硬质透明耐高温衬底用水解胶粘合在一起，形成“过渡衬底+水解胶层+石墨烯+光解胶层+离型薄膜”结构材料；释放光解胶，去除离型薄膜，得到“过渡衬底+水解胶层+石墨烯”结构材料，激光分子束外延法沉积碲镉汞薄膜，水解胶释放，去除过渡衬底，将“石墨烯+碲镉汞”结构材料转移至目标衬底材料上。本发明可实现获得在非晶态无机衬底及有机衬底材料上的晶态碲镉汞薄膜。
基本信息
| 专利类型 | 发明 | ||
| 申请(专利)号 | CN201410004797.2 | 申请日 | 2014-01-06 |
| 授权公布号 | CN103700731A | 授权公告日 | 2014-04-02 |
| 申请人 | 山东师范大学 | ||
| 地址 | 山东省济南市历下区文化东路88号 | ||
| 发明人 | 刘玫 满宝元 毕冬 | ||
| 分类号 | H01L31/18(2006.01) H01L31/0304(2006.01) | 主分类号 | H01L31/18(2006.01) |
| 国省代码 | 山东 | 页数 | 9 |
| 代理机构 | 济南圣达知识产权代理有限公司 | ||
| 代理人 | 山东师范大学 | ||
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