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利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法
利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法
申请人：
摘要：
一种利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法，包括以下步骤：1)在衬底上通过蒸发或溅射工艺生长一层易腐蚀金属；2)在易腐蚀金属的表面旋涂光刻胶，采用常规光刻工艺进行光刻，制作图形；3)采用ICP刻蚀技术刻蚀易腐蚀金属，在易腐蚀金属上形成沟槽，通过调整工艺参数来增大刻蚀沟槽的横向钻蚀；4)通过蒸发或溅射工艺，在残余光刻胶表面和沟槽中暴露的衬底上生长待剥离的金属，形成样片；5)将样片放入易腐蚀金属的腐蚀液中，将易腐蚀金属腐蚀掉，得到了衬底上的金属图形；6)用去离子水清洗，完成制备。本发明具有工艺简单、可重复性好、对光刻工艺要求低的优势，易于形成断口，易于剥离的优点。
基本信息
| 专利类型 | 发明 | ||
| 申请(专利)号 | CN201410500353.8 | 申请日 | 2014-09-26 |
| 授权公布号 | CN104377117A | 授权公告日 | 2015-02-25 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | ||
| 地址 | 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||
| 发明人 | 杨健 司朝伟 韩国威 宁瑾 赵永梅 梁秀琴 | ||
| 分类号 | H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 国省代码 | 北京 | 页数 | 7 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | ||
| 代理人 | 中国科学院半导体研究所 | ||
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