一种简单的制备薄层石墨烯的热膨胀法

摘要:
本发明公开了一种简单的制备薄层石墨烯的热膨胀法。将氧化石墨粉末撒入250℃-400℃炉体中,使其骤然升温,瞬间完成氧化石墨的膨胀得到薄层石墨烯粉末。氧化石墨的热膨胀过程在简单条件下直接完成,不需要已有报道中所提及到的氧化石墨预处理、氢气环境进行膨胀、真空环境下进行膨胀等附加条件。石墨烯的片层数小于10层,在X射线衍射谱中没有明显衍射峰,属于短程有序,长程无序。在提高生产效率的同时,降低了生产成本,非常适合于石墨烯的规模化生产。
基本信息
专利类型 发明
申请(专利)号 CN201510084548.3 申请日 2015-02-16
授权公布号 CN104724698A 授权公告日 2015-06-24
申请人 中国电子科技集团公司第十八研究所 
地址 天津市西青区海泰工业园区(环外)华科七路六号
发明人 宗军 刘兴江 丁飞 刁玉琦 卢志威 许寒 李伟 
分类号 C01B31/04(2006.01)  主分类号 C01B31/04(2006.01)
国省代码 天津 页数 8
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人 中国电子科技集团公司第十八研究所 
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019.03.12 发明专利申请公布后的视为撤回 发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):C01B 31/04申请公布日:20150624
2017.06.27 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C01B 31/04申请日:20150216
2015.06.24 公开 公开
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