一种HPD器件

摘要:
本发明提出一种HPD器件。包括光电阴极组件、管壳结构组件、阳极组件、挡板和雪崩放大器件芯片;采用雪崩放大器件芯片作为光电倍增管的接收阳极;管壳结构组件中采用“凸”型结构陶瓷和“Z”型封接环对挡板进行限位;对雪崩放大器件芯片的下电极进行单独引出;阳极组件中的阳极金属盘和挡板电位悬空。本发明在信号放大的同时保持极低的噪声水平。
基本信息
专利类型 发明
申请(专利)号 CN201410085851.0 申请日 2014-03-10
授权公布号 CN104916708B 授权公告日 2017-03-15
申请人 中国电子科技集团公司第五十五研究所 
地址 江苏省南京市中山东路524号
发明人 唐光华 戴丽英 钟伟俊 徐汉成 申屠军 李拂晓 
分类号 H01L31/0203(2014.01) H01L31/0224(2006.01) G01J11/00(2006.01)  主分类号 H01L31/0203(2014.01)
国省代码 江苏 页数 8
代理机构 南京理工大学专利中心
代理人 中国电子科技集团公司第五十五研究所 
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2017.03.15 授权 授权
2015.10.14 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/0203申请日:20140310
2015.09.16 公开 公开
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