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一种电子轰击型雪崩二极管
一种电子轰击型雪崩二极管
申请人：
摘要：
本发明公开了一种电子轰击型雪崩二极管，其结构从下到上依次是背面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；衬底，此衬底为n型Si；p型Si外延层；p型Si重掺杂层；正面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；SiO<sub>2</sub>氧化层，此钝化层位于n型Si衬底、p型Si外延层以及p型Si重掺杂层的表面和侧面，起到钝化和降低暗电流的作用；玻璃钝化层，该层位于SiO<sub>2</sub>氧化层上，加厚SiO<sub>2</sub>氧化层并填充器件台面台阶。该种结构的雪崩二极管能够对电子实现收集并探测，同时在雪崩工作电压下，结区收集到的电子可以实现雪崩放大效应，制备工艺简便，暗电流低，可靠性高。
基本信息
| 专利类型 | 发明 | ||
| 申请(专利)号 | CN201510843138.2 | 申请日 | 2015-11-27 |
| 授权公布号 | CN105374896A | 授权公告日 | 2016-03-02 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | ||
| 地址 | 江苏省南京市中山东路524号 | ||
| 发明人 | 徐鹏霄 王霄 周剑明 唐家业 王旺平 戴丽英 唐光华 赵文锦 钟伟俊 汪述猛 | ||
| 分类号 | H01L31/107(2006.01) H01L31/0203(2014.01) H01L31/0216(2014.01) H01L31/0352(2006.01) H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L31/107(2006.01) |
| 国省代码 | 江苏 | 页数 | 8 |
| 代理机构 | 南京君陶专利商标代理有限公司 | ||
| 代理人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | ||
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