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一种激光加热区熔生长大薄片或异形翘曲单晶的装置及其生长方法

发明人:
申请人:
摘要:
本发明涉及一种激光加热区熔生长大薄片或异形单晶的装置及其生长方法,该装置包括:可加热材料的激光器组,激光器(包括电源),传输激光的光纤,光纤输出端固定架和激光束移动装置;采用上述装置来生长大单晶薄片或异形碳化硅单晶的工艺为:准备样品、调试激光、生长晶体三个步骤。本发明采用激光加热区熔法制备单晶,可获得大尺寸薄片或异形单晶(包括碳化硅单晶、硅单晶等),为晶体生长领域提供了一个良好的思路,满足市场对于大尺寸碳化硅等材料的单晶需求。
基本信息
专利类型 发明
申请(专利)号 CN201610068252.7 申请日 2016-02-01
授权公布号 CN105671628A 授权公告日 2016-06-15
申请人 昝育德 昝涵今 
地址 北京市朝阳区科学园南里704-104号
发明人 昝涵今 昝育德 
分类号 C30B13/22(2006.01)  主分类号 C30B13/22(2006.01)
国省代码 北京 页数 7
代理机构 北京市合德专利事务所
代理人 昝育德 昝涵今 
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021.01.15 未缴年费专利权终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):C30B13/22授权公告日:20180420终止日期:20200201
2018.04.20 授权 授权
2016.10.26 专利申请权、专利权的转移 专利申请权的转移IPC(主分类):C30B 13/22登记生效日:20160929变更事项:申请人变更前权利人:昝育德变更后权利人:昝涵今变更事项:地址变更前权利人:100101 北京市朝阳区科学园南里704-104号变更后权利人:100101 北京市朝阳区科学园南里704-104号
2016.07.13 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 13/22申请日:20160201
2016.06.15 公开 公开
专利分析
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